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  • 智能模塊PM75EHS060三菱IPM模塊PM75EHS060

    三菱IPM模塊PM75EHS060,IPM由高速、低功率的IGBT芯片和優選的門級驅動及保護電路構成其中,PM75EHS060,IGBT是GTR和MOSFET的復合,由MOSFET驅動GTR,因而IGBT具有兩者的優點。IPM根據內部功率電路配置的不同可分為四類:H型(內部封裝一個IGBT)、D型(內部封裝兩個IGBT)、C型(內部封裝六個IGBT)和R型(內部封裝七個IGBT)。

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  • 智能模塊PM75RVA060三菱IPM模塊PM75RVA060

    三菱IPM模塊PM75RVA060,IPM由高速、低功率的IGBT芯片和優選的門級驅動及保護電路構成其中,PM75RVA060,IGBT是GTR和MOSFET的復合,由MOSFET驅動GTR,因而IGBT具有兩者的優點。IPM根據內部功率電路配置的不同可分為四類:H型(內部封裝一個IGBT)、D型(內部封裝兩個IGBT)、C型(內部封裝六個IGBT)和R型(內部封裝七個IGBT)。

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  • 智能模塊PM75CSE060三菱IPM模塊PM75CSE060

    三菱IPM模塊PM75CSE060,IPM由高速、低功率的IGBT芯片和優選的門級驅動及保護電路構成其中,PM75CSE060,IGBT是GTR和MOSFET的復合,由MOSFET驅動GTR,因而IGBT具有兩者的優點。IPM根據內部功率電路配置的不同可分為四類:H型(內部封裝一個IGBT)、D型(內部封裝兩個IGBT)、C型(內部封裝六個IGBT)和R型(內部封裝七個IGBT)。

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  • PM75RSE060三菱IPM模塊PM75RSE060

    三菱IPM模塊PM75RSE060,IPM由高速、低功率的IGBT芯片和優選的門級驅動及保護電路構成其中,PM75RSE060,IGBT是GTR和MOSFET的復合,由MOSFET驅動GTR,因而IGBT具有兩者的優點。IPM根據內部功率電路配置的不同可分為四類:H型(內部封裝一個IGBT)、D型(內部封裝兩個IGBT)、C型(內部封裝六個IGBT)和R型(內部封裝七個IGBT)。

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  • PM75CSD060三菱IPM模塊PM75CSD060

    三菱IPM模塊PM75CSD060,IPM由高速、低功率的IGBT芯片和優選的門級驅動及保護電路構成其中,PM75CSD060,IGBT是GTR和MOSFET的復合,由MOSFET驅動GTR,因而IGBT具有兩者的優點。IPM根據內部功率電路配置的不同可分為四類:H型(內部封裝一個IGBT)、D型(內部封裝兩個IGBT)、C型(內部封裝六個IGBT)和R型(內部封裝七個IGBT)。

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  • PM75RSD060三菱IPM模塊PM75RSD060

    三菱IPM模塊PM75RSD060,IPM由高速、低功率的IGBT芯片和優選的門級驅動及保護電路構成其中,PM75RSD060,IGBT是GTR和MOSFET的復合,由MOSFET驅動GTR,因而IGBT具有兩者的優點。IPM根據內部功率電路配置的不同可分為四類:H型(內部封裝一個IGBT)、D型(內部封裝兩個IGBT)、C型(內部封裝六個IGBT)和R型(內部封裝七個IGBT)。

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  • PM75CBS060三菱IPM模塊PM75CBS060

    三菱IPM模塊PM75CBS060,IPM由高速、低功率的IGBT芯片和優選的門級驅動及保護電路構成其中,PM75CBS060,IGBT是GTR和MOSFET的復合,由MOSFET驅動GTR,因而IGBT具有兩者的優點。IPM根據內部功率電路配置的不同可分為四類:H型(內部封裝一個IGBT)、D型(內部封裝兩個IGBT)、C型(內部封裝六個IGBT)和R型(內部封裝七個IGBT)。

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  • PM50RLA060三菱IPM模塊PM50RLA060

    三菱IPM模塊PM50RLA060,IPM由高速、低功率的IGBT芯片和優選的門級驅動及保護電路構成其中,PM50RLA060,IGBT是GTR和MOSFET的復合,由MOSFET驅動GTR,因而IGBT具有兩者的優點。IPM根據內部功率電路配置的不同可分為四類:H型(內部封裝一個IGBT)、D型(內部封裝兩個IGBT)、C型(內部封裝六個IGBT)和R型(內部封裝七個IGBT)。

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