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IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場效應管）組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大;MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小

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Miniskiip運用了彈簧壓接技術，Miniskiip系列中含有CIB結構的模塊，這些CIB模塊既穩定且集成度很高，包括整流，逆變和剎車結構，這些結構可用于驅動37KW的電機。MiniSKiiP擁有較高電流密度，它用了壓接技術并且有良好的功率循環能力，MiniSKiiP系列IGBT模塊是擁有高可靠性，適用范圍廣且高性的模塊。MiniSKiiP包括了CIB結構還有三相的逆變結構，這種結構有四種封裝