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產(chǎn)品展示/ Product display

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  • FZ1600R12HP4英飛凌IGBT模塊FZ1600R12HP4

    英飛凌IGBT模塊FZ1600R12HP4;北京京誠(chéng)宏泰科技有限公司專業(yè)銷售FZ1600R12HP4;西門子;ABB;偉肯變頻器大功率IGBT模塊

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  • FZ1200R12KF4英飛凌IGBT模塊FZ1200R12KF4

    英飛凌IGBT模塊FZ1200R12KF4;北京京誠(chéng)宏泰科技有限公司專業(yè)銷售FZ1200R12KF4;西門子;ABB;偉肯變頻器大功率IGBT模塊

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  • FZ400R17KE3英飛凌IGBT模塊FZ600R17KE3

    英飛凌IGBT模塊FZ600R17KE3;北京京誠(chéng)宏泰科技有限公司專業(yè)銷售FZ600R17KE3;西門子;ABB;偉肯變頻器大功率IGBT模塊;

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  • FZ900R12KE4英飛凌IGBT模塊FZ900R12KE4

    英飛凌IGBT模塊FZ900R12KE4;北京京誠(chéng)宏泰科技有限公司專業(yè)銷售FZ900R12KE4;西門子;ABB;偉肯變頻器大功率IGBT模塊

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  • FZ1000R16KF4英飛凌IGBT模塊FZ1000R16KF4

    英飛凌IGBT模塊FZ1000R16KF4;北京京誠(chéng)宏泰科技有限公司專業(yè)銷售FZ1000R16KF4;西門子;ABB;偉肯變頻器大功率IGBT模塊

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  • 富士7MBR100SD060富士IGBT模塊7MBR100SB060

    富士IGBT模塊7MBR100SB060,北京京誠(chéng)宏泰科技有限公司銷售7MBR100SB060。IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,

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  • 富士7MBR50SD060富士IGBT功率模塊7MBR50SB060

    富士IGBT功率模塊7MBR50SB060,北京京誠(chéng)宏泰科技有限公司銷售7MBR50SB060。IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,

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  • 富士7BMR30SC060富士IGBT功率模塊7BMR20SC060

    富士IGBT功率模塊7BMR20SC060,北京京誠(chéng)宏泰科技有限公司銷售7BMR20SC060。IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,

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